习 题/第三章/3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0/75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l) 是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。/解//3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的/，/，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。/解//IDQ、VGSQ/双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0，要求ID= 0/4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。/3-7/解//3-13/各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别指出各场效应管的类型、符号和VGS
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